＜追悼＞赤﨑勇名城大学終身教授?特別栄誉教授
ノーベル博物館寄贈品紹介
赤﨑?天野ノーベル賞記念展示室ではノーベル博物館へ寄贈した装置と同じ物を展示しています。
| 数量 | 1台 |
|---|---|
| 概要 | 赤﨑勇終身教授が1978年に実現したMIS型青色LED。当時の世界最高出力を誇る青色LED。 |
| 使用材料等 | GaN半導体、エポキシ樹脂、および電源 |
| サイズ | W5mm×D5mm×H20mm |
| 数量 | 1台 |
|---|---|
| 概要 | 青色LED製作を成功するための基本技術である低温バッファを理解するための展示品である。低温バッファを使用した基板としていない基板を見比べることができる。 |
| 使用材料等 | アルミケース、アクリルケース、サファイア基板 |
| サイズ | W240mm×D240mm×H135mm |
| 注釈プレート日本語訳 | 試料構造の断面概略図。低温バッファ層を有機金属化合物気相成長法で活用することによって、基板と16.3%の格子不整合があるにもかかわらず鏡のような平坦で且つ高品質なGaNが得られていることが分かる。比較のために低温バッファ層を用いない場合の結晶も展示してある。 |
| 数量 | 1台 |
|---|---|
| 概要 | 本展示器は、青色LEDウェハーである。青色LEDは、サファイア基板の上に、窒化物半導体結晶を成長させて作製されている。本装置は、これに直流電流を流すことが可能な電源を持っており、電流を流すことによってウェハーが青色に発光することが確認できる。 |
| 使用材料等 | アルミケース、アクリルケース、サファイア基板、直流電源、電源ケーブル |
| サイズ | W240mm×D240mm×H130mm |
| 注釈プレート日本語訳 | 低温バッファ層を介して作製した高品質GaN上に作製したpn接合GaN系青色LEDのウェハーである。鏡のようにきれいなGaN結晶から青色発光することが確認できる。 |
| 数量 | 1台 |
|---|---|
| 概要 | 本装置では光の3原色を理解するために作製した装置である。赤色?青色?緑色の光の3原色のLEDを用いて全ての色が表現できることを理解できる。 |
| 使用材料等 | アルミケース、アクリルケース、青LED、緑LED、赤LED、直流電源、電源ケーブル |
| サイズ | W240mm×D240mm×H130mm |
| 注釈プレート日本語訳 | 青?緑?赤色は光の三原色といわれ、これらを組み合わせることによって全て色が表現できる。赤色?黄緑色LEDは1960年代後半から70年代前半にかけて開発されたが青色LEDは長い間実現されなかった。1980年代後半から1990年代前半にかけて赤﨑勇名城大学終身教授、天野浩名古屋大学教授、中村修二カリフォルニア大学教授の3名によって極めて明るいGaN系pn接合LEDが実現された。 |
| 数量 | 1台 |
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| 概要 | 本装置は、白色LED光源の原理を理解するための展示品である。青色LEDからの光により、蛍光体が発光して、その光と青色光により、白色光を発光する原理を理解することができる。 |
| 使用材料等 | アルミケース、アクリルケース、青-LED、蛍光板、直流電源、電源ケーブル |
| サイズ | W240mm×D240mm×H130mm |
| 注釈プレート日本語訳 | 通常良く用いられている白色LEDの原理モデル ほとんどの白色LEDは青色LEDに黄色蛍光体を重ねた構造になっている。白色光は、青色光とエネルギー変換された黄色光を組み合わせることによって実現される。 |
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