本研究では、パワーデバイス材料である単結晶SiCの応力やひずみを顕微ラマン分光法で同定する手法を明らかにしました。特に応力やひずみ成分を同定する理論と、その際に必要となる変形ポテンシャル係数をSiCのラマンピーク4本に対して第一原理計算により求め、実験結果と比較して高い精度で一致することを明らかにしています。実際に応力を加えた試験片についても測定し、本測定法の妥当性を示しています。本手法は、今後新規パワーデバイスの性能を左右する重要な応力やひずみを測定する手法として期待されます。