講演奨励賞は、春秋講演会において応用物理学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文を発表した若手会員に対して贈られます。2019年3月12日に開催された第66回応用物理学会春季学術講演会において、当時修士課程2年だった川瀬さんが発表した講演に対して授与されました。
本研究では、医療?工業分野で活躍が期待される窒化物半導体紫外レーザーの短波長化の実現を目指しました。UV-B(280-315nm)領域で用いられるAlGaNの結晶成長は、転位と呼ばれる欠陥が多く導入されるため、高品質結晶の作製は困難とされていました。そこで、赤﨑勇終身教授、天野浩特別栄誉教授のノーベル賞につながった高品質GaN結晶の作製法と同じように3次元成長を活用することによって高品質なAlGaNを作製可能であることを見いだしました。さらに、その高品質AlGaNを用いることによってUV-B領域のレーザー特性の改善に大きな効果があることを明らかにしました。これらの成果が高く評価され、今回の受賞につながりました。
現在、名城大学の研究チームでは電流注入法による端面発光型の紫外レーザの発振を目指して研究を進めており、さらなる研究成果が生み出されることが期待されています。